如有疏漏之处，川实现欢迎大家补充。

AIMD可以模拟高压和高温条件下（≈200bar和500K），成都层状iron–sulfurmineralmackinawite的缝隙中水。另外，推动根据受限的水膜的各向异性极化波动及其对化学反应的影响，对局部介电特性进行了量化

▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端，源网体元化以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。此外，荷储化满LG还表示当前正在开发智能眼镜。同时，足新司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，足新将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。

高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，及多接入关于合作目前不能透露细节，及多接入但我们确实在与三星电子、LG电子合作。司宏国表示，负荷LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展。

司宏国对XR设备的前景表示看好：需求我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。

三星和LG并未明确说明何时推出产品，川实现报道称最早预计在明年上半年。成都文献链接：Dinitrogenbindingandactivationatamolybdenum-iron-sulfurcluster.NatureChemistry,2021,DOI:10.1038/s41557-021-00701-6.本文由CQR编译。

作者利用Ti金属自由基取代[Cp*MoFe3S4(IPr)2]簇中的一个，推动导致额外的N-N键减弱、N-N键极化，并且伴随产生Fe-N多键特征。通过结构和光谱分析表明，源网体元化N2活化伴随着Fe-S距离的缩短和来自每个Fe位点的电荷转移，包括那些不直接与N2结合的。

其中，荷储化满虽然金属中心的形式氧化态相对较高，但是所制备的桥接[MoFe3S4]2(μ-η1:η1-N2)复合物具有显着减弱的N-N键。为了生成N2结合的Fe-S团簇，足新作者首先考虑了N2与FeMoco结合和N2与过渡金属分子配合物结合的机理共性。